- BSS84PH6433XTMA1
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 170 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
- SN7002NH6327XTSA2
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS214NH6327XTSA1
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
- IRLML2502GTRPBF
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- IPD50R3K0CEAUMA1
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 1,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 26 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP2033UVT-7
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,2 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: TSOT-26, упаковка: Cut Tape.
- DMN3024SFG-7
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 7,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 900 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- IRLTS6342TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- IPN60R2K1CEATMA1
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-SOT223, упаковка: Cut Tape.
- DMP32D4SFB-7B
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 400 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: 3-DFN1006 (1.0x0.6), упаковка: Cut Tape.
- DMN2250UFB-7B
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,35 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: 3-DFN1006 (1.0x0.6), упаковка: Cut Tape.
- DMG302PU-7
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 170 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 320 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- DMN3025LSS-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRFH3707TRPBF
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), 29 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: 8-PQFN (3x3), упаковка: Cut Tape.
- DMN3018SFG-7
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- IRFH8334TRPBF
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), 44 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,2 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IRLMS6802TRPBF
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: Micro6™(TSOP-6), упаковка: Cut Tape.
- IPD60R2K1CEAUMA1
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 2,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 38 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN2114SN-7
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: SC-59-3, упаковка: Cut Tape.
- IRLHS6342TRPBF
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,7 А (Ta), 19 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: 6-PQFN (2x2), упаковка: Cut Tape.
- DMP2066LVT-7
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: TSOT-26, упаковка: Cut Tape.
- DMN10H170SFG-7
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,9 А (Ta), 8,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 940 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- IPD70R1K4CEAUMA1
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 700 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 53 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IRLL2703TRPBF
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- IRF7607TRPBF
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,8 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: Micro8™, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед