- STL31N65M5
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,8 А (Ta), 15 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PowerFlat™ (8x8) HV, упаковка: Cut Tape.
- FDB0260N1007L
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 200 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 250 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D2PAK (7-Lead), упаковка: Cut Tape.
- SUP85N10-10-GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 85 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,75 Вт (Ta), 250 Вт (Tc), монтаж в отверстия, упаковка: Cut Tape.
- FDB86135
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), 227 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- STH260N6F6-2
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- FDBL86210_F085
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 169 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 Вт (Tj), монтаж на поверхность, корпус изделия: 8-PSOF, упаковка: Cut Tape.
- FCB110N65F
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 357 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB28NM60ND
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 23 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 190 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IXFA3N120TRL
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 1200 В, ток стока: Iс = 3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: TO-263, упаковка: Cut Tape.
- STH270N8F7-2
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 315 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: H²PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB25NM60ND
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 160 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STH360N4F6-2
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- STB34NM60N
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 29 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB40N60M2
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 34 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STH400N4F6-2
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- STL23NM60ND
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 19,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 150 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerFlat™ (8x8) HV, упаковка: Cut Tape.
- STL36N55M5
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 550 В, ток стока: Iс = 22,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 150 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PowerFlat™ (8x8) HV, упаковка: Cut Tape.
- STB38N65M5
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 190 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STL45N65M5
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 3,8 А (Ta), 22,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), 160 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerFLAT™ (8x8), упаковка: Cut Tape.
- STB34NM60ND
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 29 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 190 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB25N80K5
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB36NM60N
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 29 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 210 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB42N65M5
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 33 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 190 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB57N65M5
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 42 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STL42N65M5
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), 34 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 208 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerFlat™ (8x8) HV, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед