- STB42N60M2-EP
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 34 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SIHH26N60E-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 25 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 202 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerPAK® 8 x 8, упаковка: Cut Tape.
- FDBL0150N60
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 240 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 357 Вт (Tj), монтаж на поверхность, заводской корпус: 8-PSOF, упаковка: Cut Tape.
- STV240N75F3
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 240 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: 10-PowerSO, упаковка: Cut Tape.
- STL33N60DM2
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 21 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PowerFlat™ (8x8) HV, упаковка: Cut Tape.
- STH315N10F7-6
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 315 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: H²PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDBL0630N150
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 169 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 500 Вт (Tj), монтаж SMT, корпус детали: 8-PSOF, упаковка: Cut Tape.
- FDB0300N1007L
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 250 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D2PAK (7-Lead), упаковка: Cut Tape.
- FDBL0210N80
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 240 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 357 Вт (Tj), монтаж SMT, корпус изделия: 8-PSOF, упаковка: Cut Tape.
- SUM85N15-19-E3
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 85 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,75 Вт (Ta), 375 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- FCB20N60_F085
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 341 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- FDB0165N807L
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 310 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 300 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- FDB0170N607L
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 250 Вт (Tc), корпус изделия: D2PAK (7-Lead), упаковка: Cut Tape.
- SIHH21N65EF-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 156 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PowerPAK® 8 x 8, упаковка: Cut Tape.
- FCB070N65S3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 44 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 312 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- RSJ650N10TL
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 65 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: LPTS, упаковка: Cut Tape.
- STB21N90K5
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 900 В, ток стока: Iс = 18,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 250 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB28NM50N
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMT800152DC
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 13 А (Ta), 72 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,2 Вт (Ta), 113 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: 8-Dual Cool™88, упаковка: Cut Tape.
- FDMT800150DC
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Ta), 99 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,2 Вт (Ta), 156 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: 8-Dual Cool™88, упаковка: Cut Tape.
- STB24N60M2
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMT800100DC
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 24 А (Ta), 162 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,2 Вт (Ta), 156 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: 8-Dual Cool™88, упаковка: Cut Tape.
- FDB0630N1507L
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 130 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 300 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- STB36NM60ND
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 29 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 190 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STL21N65M5
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PowerFlat™ (8x8) HV, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед