- HUFA75645S3S
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 310 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- FDB0250N807L
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 240 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 214 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D2PAK (7-Lead), упаковка: Cut Tape.
- FDB082N15A
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 117 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 294 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- STH320N4F6-2
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: H²PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB15N80K5
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 190 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STH270N4F3-2
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: H²PAK, упаковка: Cut Tape.
- STH320N4F6-6
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: H²PAK, упаковка: Cut Tape.
- STL23NM50N
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 2,8 А (Ta), 14 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PowerFlat™ (8x8) HV, упаковка: Cut Tape.
- STB45N50DM2AG
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 250 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDBL0065N40
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 300 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 429 Вт (Tj), монтаж SMD, заводской корпус: 8-PSOF, упаковка: Cut Tape.
- FDMT80080DC
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 36 А (Ta), 254 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,2 Вт (Ta), 156 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: 8-Dual Cool™88, упаковка: Cut Tape.
- FDBL0260N100
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 200 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 250 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 8-PSOF, упаковка: Cut Tape.
- STL24N60DM2
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 15 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 125 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PowerFlat™ (8x8) HV, упаковка: Cut Tape.
- FDB8030L
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 187 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- STB45N60DM2AG
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 34 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB0190N807L
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 270 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 250 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D2PAK (7-Lead), упаковка: Cut Tape.
- FCB20N60F_F085
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 405 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- STB160N75F3
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 330 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STL18N60M2
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 57 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- FDB0105N407L
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 460 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 300 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D2PAK (7-Lead), упаковка: Cut Tape.
- IXTA10P50PTRL
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: TO-263 (IXTA), упаковка: Cut Tape.
- STB33N60M2
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 26 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 190 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB18NM60ND
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB21N65M5
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STV270N4F3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 270 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: 10-PowerSO, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед