- STB23NM50N
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 125 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86255ET150
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), 63 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,3 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: Power56, упаковка: Cut Tape.
- STB34N50DM2AG
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 26 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 190 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SI7431DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- RCJ510N25TL
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 51 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,56 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: LPTS, упаковка: Cut Tape.
- STD15N65M5
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 85 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SUM60N02-3M9P-E3
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,75 Вт (Ta), 120 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- STB13NM60N
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 90 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDBL0090N40
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 240 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 357 Вт (Tj), монтаж SMD, заводской корпус: 8-PSOF, упаковка: Cut Tape.
- NVMFS5C604NLAFT1G
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 287 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- RCJ700N20TL
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,56 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: LPTS, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS5C404NT1G
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 53 А (Ta), 378 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,9 Вт (Ta), 200 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- IRFBC40STRLPBF
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 130 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB016N04AL7
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 160 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 283 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D2PAK-7, упаковка: Cut Tape.
- STL18N65M5
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 57 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- FDB86360_F085
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 110 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 333 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- NVMFS5C604NLWFAFT1G
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 287 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 200 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- STH275N8F7-2AG
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 315 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS5H600NLT1G
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 35 А (Ta), 250 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,3 Вт (Ta), 160 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- FDB045AN08A0_F085
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 310 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- STH260N6F6-6
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: H2PAK-6, упаковка: Cut Tape.
- STB13N80K5
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 190 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB10N95K5
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 950 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 130 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STH275N8F7-6AG
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 315 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: H2PAK-6, упаковка: Cut Tape.
- STH400N4F6-6
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: H²PAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед