- SIHH14N60E-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 16 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 147 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PowerPAK® 8 x 8, упаковка: Cut Tape.
- STL17N65M5
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,8 А (Ta), 10 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), 70 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PowerFlat™ (8x8) HV, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86152
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), 45 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,7 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- STL100N10F7
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), 100 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- FDB2532_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 79 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 310 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- STB21NK50Z
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 190 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86255
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), 45 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,7 Вт (Ta), 113 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDBL0120N40
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 240 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tj), монтаж SMT, заводской корпус: 8-PSOF, упаковка: Cut Tape.
- RSJ550N10TL
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 55 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: LPTS, упаковка: Cut Tape.
- STB14NK60ZT4
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 160 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB150NF55T4
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- TPWR8004PL,L1Q
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 150 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), 170 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: 8-DSOP Advance, упаковка: Cut Tape.
- STB18N65M5
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 15 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB035AN06A0_F085
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 22 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 310 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB029N06
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 231 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB075N15A_F085
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 110 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 333 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- FDMS86150ET100
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Ta), 128 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,3 Вт (Ta), 187 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- STB31N65M5
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 22 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FCB290N80
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 212 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDBL86561_F085
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 429 Вт (Tj), монтаж SMD, корпус детали: 8-PSOF, упаковка: Cut Tape.
- IRL60S216
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 195 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 375 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SIHF22N60E-GE3
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 21 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 35 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220 Full Pack, упаковка: Cut Tape.
- FDBL86361_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 429 Вт (Tj), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-PSOF, упаковка: Cut Tape.
- 2SK4177-DL-1E
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 1500 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 80 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: TO-263-2, упаковка: Cut Tape.
- FDB024N04AL7
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 214 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D2PAK-7, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед