- FCB11N60TM
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- STL15N65M5
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 10 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 52 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- STL19N65M5
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,3 А (Ta), 12,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 90 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PowerFlat™ (8x8) HV, упаковка: Cut Tape.
- FDB110N15A
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 92 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 234 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB9403_F085
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 110 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 333 Вт (Tj), поверхностный монтаж, корпус изделия: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- FDB9403L_F085
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 110 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 333 Вт (Tj), SMT-монтаж, тип корпуса: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- FDBL86563_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 240 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 357 Вт (Tj), поверхностный монтаж, тип корпуса: 8-PSOF, упаковка: Cut Tape.
- FDBL86363_F085
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 240 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 357 Вт (Tj), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-PSOF, упаковка: Cut Tape.
- FCMT299N60
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: Power88, упаковка: Cut Tape.
- SMP3003-DL-1E
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 90 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- R6008FNJTL
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: LPTS, упаковка: Cut Tape.
- STL19N60DM2
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 90 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerFlat™ (8x8) HV, упаковка: Cut Tape.
- STB80NF55L-06T4
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STH150N10F7-2
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 110 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 250 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- STB120NF10T4
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 110 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 312 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STD12NM50ND
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SQM120N06-3M5L_GE3
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), монтаж SMD, упаковка: Cut Tape.
- FDB15N50
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- SMP3003-TL-1E
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 90 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- STD8N80K5
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STD13NM60ND
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 109 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS8350L
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 47 А (Ta), 200 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,7 Вт (Ta), 113 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- IRF135SA204
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 135 В, ток стока (непрерывный): Iс = 160 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 500 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D2PAK-7, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86550ET60
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 32 А (Ta), 245 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,3 Вт (Ta), 187 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDBL9403_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 240 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 357 Вт (Tj), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-PSOF, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед