- HUFA76645S3ST_F085
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 310 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- TPWR8503NL,L1Q
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 150 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 800 мВт (Ta), 142 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-DSOP Advance, упаковка: Cut Tape.
- STB13NK60ZT4
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SUM50020EL-GE3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- SUM70040M-GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: TO-263-7, упаковка: Cut Tape.
- SUM60030E-GE3
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 375 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- STD11NM60ND
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 90 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDB86563_F085
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 110 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 333 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- FDB86363_F085
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 110 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- IRF840ASTRRPBF
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 125 Вт (Tc), монтаж SMD, упаковка: Cut Tape.
- NVMFS5C404NLWFT1G
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 49 А (Ta), 352 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,9 Вт (Ta), 200 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- SIHH11N60E-T1-GE3
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 114 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerPAK® 8 x 8, упаковка: Cut Tape.
- SI4442DY-T1-E3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STB170NF04
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SIE832DF-T1-GE3
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,2 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: 10-PolarPAK® (S), упаковка: Cut Tape.
- SQM60030E_GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- STH265N6F6-2AG
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- STB24N60DM2
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FQB27N25TM_F085
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 417 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- STB30NF20L
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- HUF75645S3ST
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 310 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- STB24N65M2
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SUM90142E-GE3
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDMS8050ET30
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 55 А (Ta), 423 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,3 Вт (Ta), 180 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: Power56, упаковка: Cut Tape.
- STH265N6F6-6AG
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: H2PAK-6, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед