- SI4838DY-T1-E3
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDMC7570S
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 27 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 59 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: Power33, упаковка: Cut Tape.
- SUM10250E-GE3
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, ток стока: Iс = 63,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 375 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- SUM40010EL-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 375 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- SI7113DN-T1-E3
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13,2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- FDBL9406_F085
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 240 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tj), монтаж SMD, корпус изделия: 8-PSOF, упаковка: Cut Tape.
- SI7658ADP-T1-GE3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,4 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7148DP-T1-GE3
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 28 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5,4 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), монтаж SMT, упаковка: Cut Tape.
- SQJ463EP-T1_GE3
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 83 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STB120N4LF6
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB120N10
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 74 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 170 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB8N90K5
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 900 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 130 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SI7852DP-T1-GE3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 7,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,9 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86202
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 120 В, ток стока: Iс = 13,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,7 Вт (Ta), 156 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- SQD50P04-09L_GE3
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 136 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SIR826DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STL22N65M5
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 110 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerFlat™ (8x8) HV, упаковка: Cut Tape.
- TPH2R306NH,L1Q
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- TPH4R50ANH,L1Q
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- STH110N10F7-2
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 110 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- FDMS8320L
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 36 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- SQ4840EY-T1_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 7,1 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STL8N80K5
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 42 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- SQM120P04-04L_GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), монтаж SMT, упаковка: Cut Tape.
- NVMFS5C404NLAFT1G
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 370 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед