- STB7ANM60N
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB8441_F085
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 28 А (Ta), 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- BUK761R6-40E,118
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 349 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS3006SDC
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 34 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,3 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: Dual Cool™56, упаковка: Cut Tape.
- SI7852ADP-T1-E3
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), 62,5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMS3662
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,9 А (Ta), 49 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDMS3008SDC
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 29 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,3 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: Dual Cool™56, упаковка: Cut Tape.
- TPH5200FNH,L1Q
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 26 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 78 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- FDMC2512SDC
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 32 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 66 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: Dual Cool ™ 33, упаковка: Cut Tape.
- STB155N3H6
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STD130N4F6AG
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 143 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86250
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,7 А (Ta), 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- AON6290
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 28 А (Ta), 85 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 7,3 Вт (Ta), 208 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- SI7172DP-T1-GE3
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,4 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SIR892DP-T1-GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STD11NM65N
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SQM120N04-1M7L_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 375 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: TO-263, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86150
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 16 А (Ta), 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,7 Вт (Ta), 156 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: Power56, упаковка: Cut Tape.
- RCJ330N25TL
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 33 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,56 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: LPTS, упаковка: Cut Tape.
- FCMT199N60
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 208 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: Power88, упаковка: Cut Tape.
- FDMS8570SDC
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 28 А (Ta), 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,3 Вт (Ta), 59 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: Dual Cool™56, упаковка: Cut Tape.
- SIR872DP-T1-GE3
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 53,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), SMD-монтаж, упаковка: Cut Tape.
- FDB150N10
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 57 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDBL86366_F085
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 220 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tj), поверхностный монтаж, корпус: 8-PSOF, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R1-40BS,118
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 306 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед