Полевые транзисторы | МОП-транзисторы | FET, MOSFET | Каталог

В нашем каталоге представлен широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов (MOSFET) ведущих мировых производителей дискретных полупроводников. У нас можно купить униполярные транзисторы с n-каналом или p-каналом, напряжение сток-исток (U_СИ) в диапазоне от 6 В до 4,5 кВ, ток стока (I_С) от 5 мА до 860 А, сопротивление в открытом состоянии (R_{СИ откр.}) от 0,4 мОм до 1 кОм, рассеиваимая мощность (P_макс.) от 80 мВт до 5 кВт.

STP17NK40ZFP

Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 400 В, ток стока (непрерывный): I_с = 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 35 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220FP, упаковка: Tube.

STP14NK60ZFP

MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 13,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 40 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220FP, упаковка: Tube.

STF42N65M5

Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока (непрерывный): I_с = 33 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 40 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-220FP, упаковка: Tube.

IRFB7787PBF

Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 75 В, ток стока (непрерывный): I_с = 76 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 125 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.

IPP086N10N3GXKSA1

Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 125 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: PG-TO-220-3, упаковка: Tube.

AUIRFR5305

MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 31 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 110 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Tube.

IRF4104SPBF

Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 40 В, ток стока: I_с = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 140 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Tube.

IPP037N08N3GXKSA1

МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 80 В, ток стока: I_с = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 214 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: PG-TO-220-3, упаковка: Tube.

IPP80R280P7XKSA1

МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока: I_с = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 101 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: PG-TO-220-3, упаковка: Tube.

IPA60R120P7XKSA1

Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока: I_с = 26 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 28 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: PG-TO220 Full Pack, упаковка: Tube.

IPP90R340C3XKSA1

МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 900 В, ток стока: I_с = 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 208 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: PG-TO-220-3, упаковка: Tube.

IPZ60R037P7XKSA1

МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока (непрерывный): I_с = 76 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 255 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: PG-TO247-4, упаковка: Tube.

STP36NF06L

МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока (непрерывный): I_с = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 70 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP30NF10

MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 115 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP9NK50ZFP

МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 500 В, ток стока (непрерывный): I_с = 7,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 30 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-220FP, упаковка: Tube.

STP6NK90Z

МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 900 В, ток стока (непрерывный): I_с = 5,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 140 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

STW20NK50Z

Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 500 В, ток стока: I_с = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 190 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-247-3, упаковка: Tube.

STP3NK80Z

Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока: I_с = 2,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 70 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

SPA06N80C3XKSA1

МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока: I_с = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 39 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: PG-TO220-FP, упаковка: Tube.

STF19NF20

MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока (непрерывный): I_с = 15 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 25 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-220FP, упаковка: Tube.

STP5NK80ZFP

МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока: I_с = 4,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 30 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-220FP, упаковка: Tube.

IRF1405PBF

Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 169 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 330 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP40NF10

Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 150 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP9NK50Z

МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 500 В, ток стока (непрерывный): I_с = 7,2 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 110 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP7NK80ZFP

Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока (непрерывный): I_с = 5,2 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 30 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220FP, упаковка: Tube.

Назад Вперед

Drain to Source Voltage -- напряжение сток-исток

Drive Voltage -- управляющее напряжение

Power Dissipation -- рассеиваемая мощность

Gate−to−Source Voltage − Continuous -- напряжение затвор-исток (непрерывное)

Drain Current -- ток стока

Полевые транзисторы (FET, MOSFET)