Полевые транзисторы | МОП-транзисторы | FET, MOSFET | Каталог

В нашем каталоге представлен широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов (MOSFET) ведущих мировых производителей дискретных полупроводников. У нас можно купить униполярные транзисторы с n-каналом или p-каналом, напряжение сток-исток (U_СИ) в диапазоне от 6 В до 4,5 кВ, ток стока (I_С) от 5 мА до 860 А, сопротивление в открытом состоянии (R_{СИ откр.}) от 0,4 мОм до 1 кОм, рассеиваимая мощность (P_макс.) от 80 мВт до 5 кВт.

SPP20N60C3XKSA1

MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока: I_с = 20,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 208 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: PG-TO220-3-1, упаковка: Tube.

STI40N65M2

MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока: I_с = 32 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 250 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: I2PAK, упаковка: Tube.

IRLP3034PBF

Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 40 В, ток стока (непрерывный): I_с = 195 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 341 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-247AC, упаковка: Tube.

STW19NM50N

МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 500 В, ток стока: I_с = 14 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 110 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-247-3, упаковка: Tube.

IPW60R099C6FKSA1

МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 37,9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 278 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: PG-TO247-3, упаковка: Tube.

IRFP4368PBF

МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 75 В, ток стока (непрерывный): I_с = 195 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 520 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-247AC, упаковка: Tube.

IPW60R040C7XKSA1

МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 227 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: PG-TO247-3, упаковка: Tube.

IRFU120NPBF

МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 9,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 48 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: IPAK (TO-251), упаковка: Tube.

IRFB3806PBF

MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока: I_с = 43 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 71 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRFU024NPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 45 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: IPAK (TO-251), упаковка: Tube.

IPA50R380CEXKSA2

МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 500 В, ток стока (непрерывный): I_с = 6,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 29,2 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-220 Full Pack, упаковка: Tube.

IRFB3307ZPBF

Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 75 В, ток стока: I_с = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 230 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF1405ZPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 230 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF3703PBF

Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 210 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 3,8 Вт (Ta), 230 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP12NM50FP

Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 500 В, ток стока (непрерывный): I_с = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 35 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220FP, упаковка: Tube.

IRFB3006PBF

MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока: I_с = 195 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 375 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRFS7730PBF

МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 75 В, ток стока (непрерывный): I_с = 195 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 375 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Tube.

AUIRFB8409

Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 40 В, ток стока: I_с = 195 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 375 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IPW60R099P6XKSA1

MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока: I_с = 37,9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 278 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: PG-TO247-3, упаковка: Tube.

SPW24N60C3FKSA1

МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока (непрерывный): I_с = 24,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 240 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: PG-TO247-3, упаковка: Tube.

IPW90R340C3FKSA1

МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 900 В, ток стока: I_с = 15 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 208 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: PG-TO247-3, упаковка: Tube.

IPW60R099CPFKSA1

MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока (непрерывный): I_с = 31 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 255 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: PG-TO247-3, упаковка: Tube.

IRF9520NPBF

Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 6,8 А (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP100NF04

МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 40 В, ток стока (непрерывный): I_с = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 300 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP14NK50Z

МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 500 В, ток стока: I_с = 14 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 150 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

Назад Вперед

Drain to Source Voltage -- напряжение сток-исток

Drive Voltage -- управляющее напряжение

Power Dissipation -- рассеиваемая мощность

Gate−to−Source Voltage − Continuous -- напряжение затвор-исток (непрерывное)

Drain Current -- ток стока

Полевые транзисторы (FET, MOSFET)