- STP13NK60Z
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 13 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.
- STP9NK60ZFP
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 30 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220FP, упаковка: Tube.
- STW21N90K5
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 900 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-247-3, упаковка: Tube.
- IRFZ34NPBF
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 29 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 68 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IRLZ24NPBF
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IPP055N03LGXKSA1
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 68 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: PG-TO-220-3, упаковка: Tube.
- IRF540ZPBF
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 36 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 92 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IRFZ46NPBF
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 53 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 107 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IRFZ44VPBF
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 55 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 115 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IRFB3306PBF
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 230 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IRF1010NPBF
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 85 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 180 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IRFI1010NPBF
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 49 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 58 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-220AB Full-Pak, упаковка: Tube.
- IRFB5615PBF
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 144 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IRL3705NPBF
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 89 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 170 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IRLI3705NPBF
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 52 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 58 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-220AB Full-Pak, упаковка: Tube.
- IRFB38N20DPBF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 43 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 300 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IRFB3206PBF
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IRFB5620PBF
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 25 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 144 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IRFB31N20DPBF
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 31 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 200 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IPA60R190P6XKSA1
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 20,2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 34 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: PG-TO-220-FP, упаковка: Tube.
- SPP11N80C3XKSA1
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 156 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: PG-TO220-3-1, упаковка: Tube.
- STP7NK80Z
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 5,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IRFP260MPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-247AC, упаковка: Tube.
- IRFB260NPBF
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 56 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 380 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.
- IRFB4321PBF
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 85 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 350 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.
Назад
Вперед