- STL13N60M2
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 55 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- STD16N65M2
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SI7430DP-T1-E3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 26 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5,2 Вт (Ta), 64 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FQB34P10TM
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 33,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,75 Вт (Ta), 155 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- STB18NF25
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMC7572S
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 22,5 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: Power33, упаковка: Cut Tape.
- SQD50P08-25L_GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 136 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- SIR882ADP-T1-GE3
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,4 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STD16N50M2
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDB070AN06A0_F085
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 175 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86101A
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Ta), 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- STB13N60M2
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB18N60DM2
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 90 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SI7434DP-T1-E3
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- TPHR8504PL,L1Q
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 150 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), 170 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- STL8N10LF3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,3 Вт (Ta), 70 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- STD70N6F3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS5C426NT1G
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 41 А (Ta), 235 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 128 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- IRF9530STRLPBF
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 88 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SI7489DP-T1-GE3
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 28 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5,2 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- MTM981400BBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: SO8-F1-B, упаковка: Cut Tape.
- RCJ300N20TL
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,56 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: LPTS, упаковка: Cut Tape.
- STL40N10F7
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Ta), 70 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- TK100S04N1L,LQ
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: DPAK+, упаковка: Cut Tape.
- STL130N8F7
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 130 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 135 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед