- FDMC86340ET80
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 14 А (Ta), 68 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 65 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: Power33, упаковка: Cut Tape.
- STL7N80K5
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 3,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 42 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- SIR846ADP-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,4 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STD45N10F7
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 45 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 60 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFR9220TRLPBF
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 3,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 42 Вт (Tc), SMT-монтаж, упаковка: Cut Tape.
- FDMC86160ET100
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), 43 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 65 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: Power33, упаковка: Cut Tape.
- SI7141DP-T1-GE3
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMS039N08B
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 19,4 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDD5670
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 52 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- FDD86110
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 12,5 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 127 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- FDMC86260ET150
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,4 А (Ta), 25 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), 65 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: Power33, упаковка: Cut Tape.
- STD100N10F7
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 120 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK762R0-40C,118
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 333 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- RRH140P03GZETB
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 14 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 650 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-SOP, упаковка: Cut Tape.
- STD155N3LH6
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STS26N3LLH6
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 26 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,7 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STL15N60M2-EP
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 55 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- STD15N60M2-EP
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STB40NF10T4
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB12N50TM
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 165 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- DN3765K4-G
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- STD11NM50N
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 8,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 70 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- TK14G65W5,RQ
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 13,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 130 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMC8588DC
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 41 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: Dual Cool ™ 33, упаковка: Cut Tape.
- STD65N55F3
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед