- FDMC86520DC
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 73 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: Dual Cool ™ 33, упаковка: Cut Tape.
- FDMS8558S
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 33 А (Ta), 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- STD150N3LLH6
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BUK9606-75B,118
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK763R1-40B,118
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK9610-100B,118
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK963R2-40B,118
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK762R7-30B,118
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMC86240
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,6 А (Ta), 16 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FQB7N60TM
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 7,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,13 Вт (Ta), 142 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- FDMC86259P
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,2 А (Ta), 13 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 62 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: Power33, упаковка: Cut Tape.
- SUD35N10-26P-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 8,3 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- DMTH6004SPSQ-13
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 25 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 167 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- STD155N3H6
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS3016DC
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 18 А (Ta), 49 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,3 Вт (Ta), 60 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: Dual Cool™56, упаковка: Cut Tape.
- SUD35N10-26P-E3
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 8,3 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- STL92N10F7AG
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 16 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), 100 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- STL18N65M2
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 57 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- SQJ412EP-T1_GE3
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 32 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 83 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STL120N8F7
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,8 Вт (Ta), 140 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IRF100S201
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 192 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 441 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- BTS282ZE3180AATMA2
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 49 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-TO263-7-1, упаковка: Cut Tape.
- FCD7N60TM_WS
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 83 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STL9N60M2
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 4,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 48 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- NTB6413ANT4G
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 42 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 136 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед