- TPW4R008NH,L1Q
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 116 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 800 мВт (Ta), 142 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: 8-DSOP Advance, упаковка: Cut Tape.
- IRFS4321TRL7PP
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 86 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D2PAK-7, упаковка: Cut Tape.
- IRFR430ATRPBF
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), SMD-монтаж, упаковка: Cut Tape.
- BUK9605-30A,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 230 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- DMNH10H028SPSQ-13
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- FDS86540
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 18 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SIR438DP-T1-GE3
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,4 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMC86160
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 9 А (Ta), 43 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 54 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: Power33, упаковка: Cut Tape.
- RUS100N02TB
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: 8-SOP, упаковка: Cut Tape.
- FDB3672_F085
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 7,2 А (Ta), 44 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 120 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- NVD5117PLT4G-VF01
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), 61 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,1 Вт (Ta), 118 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: DPAK-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP22M2UPS-13
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMC86340
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), 48 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 54 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: Power33, упаковка: Cut Tape.
- SIR878ADP-T1-GE3
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), 44,5 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7858ADP-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,9 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7116DN-T1-E3
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 10,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMC012N03
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 35 А (Ta), 185 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 64 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: Power33, упаковка: Cut Tape.
- FDMC86248
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 3,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 36 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: Power33, упаковка: Cut Tape.
- FDMS6673BZ
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15,2 А (Ta), 28 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 73 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- SI4124DY-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 20,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 5,7 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STL260N3LLH6
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 260 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 166 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- FDS3512
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STD25N10F7
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 40 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FQB55N10TM
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 55 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,75 Вт (Ta), 155 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- FDD3680
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 25 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 68 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: TO-252, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед