- STD80N6F6
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 120 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SI4427BDY-T1-GE3
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86201
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 120 В, ток стока: Iс = 11,6 А (Ta), 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: Power56, упаковка: Cut Tape.
- RS1G300GNTB
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 35 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: 8-HSOP, упаковка: Cut Tape.
- FDS2672_F085
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 3,9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDB14AN06LA0_F085
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 67 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 125 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- R5011FNJTL
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: LPTS, упаковка: Cut Tape.
- FDS2672
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4934NT1G
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17,1 А (Ta), 147 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 930 мВт (Ta), 69,44 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- SI7115DN-T1-E3
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 52 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMS8027S
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Ta), 22 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 36 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDMS2672
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 3,7 А (Ta), 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: 8-MLP (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDMC86260
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 5,4 А (Ta), 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 54 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: Power33, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86500L
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 25 А (Ta), 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- SIR880ADP-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5,4 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STD8NM50N
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS7572S
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 23 А (Ta), 49 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 46 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- STL13N65M2
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 6,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 52 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- FDS86140
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SIR402DP-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,2 Вт (Ta), 36 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7102DN-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMT-монтаж, упаковка: Cut Tape.
- SIS402DN-T1-GE3
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- FDD6688
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 84 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 83 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- STL160NS3LLH7
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 160 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 84 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IRFS4410TRLPBF
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 88 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 200 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед