- ZXMN10A09KTC
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,15 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- FDS4675_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- FCD620N60ZF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 89 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK964R4-40B,118
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 254 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRL640STRLPBF
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS5C442NT1G
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 29 А (Ta), 140 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- DMNH4006SK3-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 18 А (Ta), 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,2 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- DMNH10H028SK3Q-13
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 55 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- RS1G260MNTB
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 26 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 35 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: 8-HSOP, упаковка: Cut Tape.
- STD85N10F7AG
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 70 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 85 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS8460
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 25 А (Ta), 49 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: Power56, упаковка: Cut Tape.
- STD11N50M2
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 85 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- DMTH6004SPS-13
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 167 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMS015N04B
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 31,3 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86103L
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), 49 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDD2572
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), 29 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 135 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- SK8603140L
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 25 А (Ta), 103 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: HSO8-F4-B, упаковка: Cut Tape.
- TK5P60W,RVQ
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STL4N10F7
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Ta), 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,9 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PowerFlat™ (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- STL3N10F7
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerFlat™ (2x2), упаковка: Cut Tape.
- IRFRC20TRLPBF
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SIJ482DP-T1-GE3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Ta), 69,4 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7148DP-T1-E3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 28 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5,4 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7370DP-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,9 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI4842BDY-T1-GE3
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 28 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 6,25 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед