- SIR812DP-T1-GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7615DN-T1-GE3
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF640STRLPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 130 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: TO-263 (D²Pak), упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4833NT1G
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 16 А (Ta), 156 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 910 мВт (Ta), 125 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- PSMN063-150D,118
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 29 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- ATP301-TL-H
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 28 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 70 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: ATPAK, упаковка: Cut Tape.
- SI4628DY-T1-GE3
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 38 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 7,8 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STD180N4F6
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 130 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STB55NF06LT4
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 55 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 95 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRLR120TRLPBF
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 42 Вт (Tc), монтаж на поверхность, упаковка: Cut Tape.
- BUK966R5-60E,118
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 182 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SIR638DP-T1-GE3
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 104 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7850DP-T1-GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 6,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,8 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7120ADN-T1-GE3
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7858BDP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- NTB45N06LT4G
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 45 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), 125 Вт (Tj), SMT-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- TPN2010FNH,L1Q
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 5,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), 39 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: 8-TSON Advance (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FQB22P10TM
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 22 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,75 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4982NFT1G
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 26,5 А (Ta), 207 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- CDM7-600LR TR13
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 60 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STS13N3LLH5
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,7 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- NVD6824NLT4G-VF01
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 8,5 А (Ta), 41 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,9 Вт (Ta), 90 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STD13N60DM2
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFS3207ZTRRPBF
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- FDB86569_F085
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 94 Вт (Tj), SMD-монтаж, заводской корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед