- FQB9N50CTM
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 135 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- FDMC7680
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 14,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- ZVN4310GTA
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 1,67 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- FDD86567_F085
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 227 Вт (Tj), монтаж SMD, заводской корпус: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- SI7423DN-T1-E3
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- STD16NF25
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 100 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STB80N4F6AG
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 70 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- FDMC2610
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 2,2 А (Ta), 9,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- STD26NF10
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 25 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDB8896
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19 А (Ta), 93 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 80 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- FDMC8296
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 27 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDB3682
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), 32 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 95 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: TO-263, упаковка: Cut Tape.
- FCD7N60TM
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 83 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDD3672
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,5 А (Ta), 44 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 135 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- FQD2P40TM
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,56 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 38 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- NTMS10P02R2G
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 8,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- SQD45P03-12_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 71 Вт (Tc), поверхностный монтаж, упаковка: Cut Tape.
- FDS5680
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SIR414DP-T1-GE3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5,4 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STD30N10F7
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 32 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMC86102
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 41 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: Power33, упаковка: Cut Tape.
- SQD50N10-8M9L_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 136 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- FDMC86139P
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 4,4 А (Ta), 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDMC8554
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 16,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 41 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDS6699S
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 21 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед