- IRFR420ATRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 3,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 83 Вт (Tc), монтаж SMD, упаковка: Cut Tape.
- SQD40N06-14L_GE3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 75 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- FDS4141_F085
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 10,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDMS8018
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 30 А (Ta), 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- BUK7606-55B,118
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 254 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMC15N06
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,4 А (Ta), 15 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 35 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- DMNH6008SPS-13
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16,5 А (Ta), 88 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,3 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- FCD5N60_F085
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 54 Вт (Tj), поверхностный монтаж, корпус изделия: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- STS10P3LLH6
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,7 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DMT6005LSS-13
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,3 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DMTH4004SK3-13
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,9 Вт (Ta), 180 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- SQJ422EP-T1_GE3
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 74 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 83 Вт (Tc), монтаж на поверхность, упаковка: Cut Tape.
- FDMS9408_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 214 Вт (Tj), монтаж на поверхность, корпус детали: Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDMS8333L
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 22 А (Ta), 76 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86252L
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDMS9408L_F085
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 214 Вт (Tj), поверхностный монтаж, корпус изделия: Power56, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS5C450NT1G
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 24 А (Ta), 102 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,6 Вт (Ta), 68 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- SI7454DDP-T1-GE3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 21 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,1 Вт (Ta), 29,7 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDD8870_F085
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 160 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- SI7892BDP-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,8 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STD110N8F6
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 167 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STD4N62K3
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 620 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 70 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- CDM7-650 TR13
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,12 Вт (Ta), 140 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- DMTH6005LPSQ-13
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 20,6 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,2 Вт (Ta), 150 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- STD6N65M2
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 60 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед