- TPH1R403NL,L1Q
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), 64 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- STD10N60DM2
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 109 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDD2582
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,7 А (Ta), 21 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 95 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- FDMC6686P
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Ta), 56 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33, упаковка: Cut Tape.
- RS1E350BNTB
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 35 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: 8-HSOP, упаковка: Cut Tape.
- FDD14AN06LA0_F085
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,5 А (Ta), 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- FDD5690
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,2 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- FDMS7580
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), 29 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 27 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- SI5432DC-T1-GE3
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 6,3 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: 1206-8 ChipFET™, упаковка: Cut Tape.
- BUK7613-100E,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 72 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 182 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDD8N50NZTM
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 6,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 90 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDD5N50UTM_WS
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 40 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STD11N60DM2
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN130-200D,118
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- DMT6004LPS-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 22 А (Ta), 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 105 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- FDN86501LZ
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 2,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- STB45NF06T4
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 38 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 80 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FQD12N20TM
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 55 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FQD9N25TM_F080
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 55 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- AOD7S65
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 89 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- VP2450N8-G
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 160 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: TO-243AA (SOT-89), упаковка: Cut Tape.
- FDMC3020DC
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: Dual Cool ™ 33, упаковка: Cut Tape.
- SI4430BDY-T1-E3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- PSMN0R9-25YLDX
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 300 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 238 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FDD8444_F085
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 145 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 153 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед