Полевые транзисторы | МОП-транзисторы | FET, MOSFET | Каталог

В нашем каталоге представлен широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов (MOSFET) ведущих мировых производителей дискретных полупроводников. У нас можно купить униполярные транзисторы с n-каналом или p-каналом, напряжение сток-исток (U_СИ) в диапазоне от 6 В до 4,5 кВ, ток стока (I_С) от 5 мА до 860 А, сопротивление в открытом состоянии (R_{СИ откр.}) от 0,4 мОм до 1 кОм, рассеиваимая мощность (P_макс.) от 80 мВт до 5 кВт.

IRFB4019PBF

MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 150 В, ток стока: I_с = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 80 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF3710PBF

МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 57 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 200 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF1310NPBF

МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 160 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRL3705ZPBF

Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 130 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF3415PBF

MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 150 В, ток стока: I_с = 43 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 200 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRFI540NPBF

Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 54 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB Full-Pak, упаковка: Tube.

IRLIB9343PBF

МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 14 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 33 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB Full-Pak, упаковка: Tube.

IRF2807PBF

MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 75 В, ток стока: I_с = 82 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 230 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IPP072N10N3GXKSA1

Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 150 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: PG-TO-220-3, упаковка: Tube.

IRFB7437PBF

MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 40 В, ток стока: I_с = 195 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 230 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF1407PBF

Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 75 В, ток стока (непрерывный): I_с = 130 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 330 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRFI3205PBF

Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 64 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 63 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220AB Full-Pak, упаковка: Tube.

STP9NK60Z

MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 125 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF1324PBF

Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 24 В, ток стока (непрерывный): I_с = 195 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 300 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF6218PBF

МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 150 В, ток стока: I_с = 27 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 250 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.

IPP200N15N3GXKSA1

Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 150 В, ток стока (непрерывный): I_с = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 150 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: PG-TO-220-3, упаковка: Tube.

IRFI4227PBF

MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока: I_с = 26 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 46 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB Full-Pak, упаковка: Tube.

IRFB4310PBF

Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 130 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 300 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRFB4110PBF

Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 370 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRFB7430PBF

Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 40 В, ток стока (непрерывный): I_с = 195 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 375 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRFB4229PBF

МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 250 В, ток стока: I_с = 46 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 330 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRFB4127PBF

Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока (непрерывный): I_с = 76 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 375 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRLB4030PBF

Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 370 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRFP4004PBF

MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 40 В, ток стока: I_с = 195 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 380 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-247AC, упаковка: Tube.

IRFP4227PBF

МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока: I_с = 65 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 330 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-247AC, упаковка: Tube.

Назад Вперед

Drain to Source Voltage -- напряжение сток-исток

Drive Voltage -- управляющее напряжение

Power Dissipation -- рассеиваемая мощность

Gate−to−Source Voltage − Continuous -- напряжение затвор-исток (непрерывное)

Drain Current -- ток стока

Полевые транзисторы (FET, MOSFET)