- NVMFS5C670NLWFAFT1G
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), 71 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 61 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- STD5N80K5
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- DMTH6010LPSQ-13
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 13,5 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,6 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- STB6N60M2
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 60 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- TPH1R712MD,L1Q
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 78 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- PSMN012-80BS,118
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 74 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 148 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- TPH1400ANH,L1Q
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 24 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- RFD16N06LESM9A
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 90 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- FDS6682
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS5C646NLT1G
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 79 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- FDMC2674
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 220 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1 А (Ta), 7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- SQJ403BEEP-T1_GE3
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 68 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- IRLM220ATF
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 1,13 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- SQD19P06-60L_GE3
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 46 Вт (Tc), SMT-монтаж, упаковка: Cut Tape.
- FQB33N10LTM
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 33 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,75 Вт (Ta), 127 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- SI4166DY-T1-GE3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 30,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 6,5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86540
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDD6670A
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), 66 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,2 Вт (Ta), 63 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- FDS86267P
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STL30N10F7
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 75 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- BUK9608-55B,118
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 203 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- TK380P65Y,RQ
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 80 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS7660
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Ta), 42 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- STD140N6F7
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 134 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86322
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Ta), 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед