- BUK9620-100B,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 63 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 203 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- DMNH10H028SPS-13
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- NVD5C668NLT4G
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 49 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 44 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- NTD5862NT4G
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 98 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 115 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: DPAK-3, упаковка: Cut Tape.
- TK6P65W,RQ
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SK8603150L
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 26 А (Ta), 89 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,9 Вт (Ta), 34 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: HSO8-F4-B, упаковка: Cut Tape.
- AON6448
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), 65 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- FDD6N50TM_F085
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 89 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDMC612PZ
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 26 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- AOD240
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 23 А (Ta), 70 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,7 Вт (Ta), 150 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDMC7660S
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 41 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: Power33, упаковка: Cut Tape.
- FCD2250N80Z
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 2,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 39 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- DMNH4006SK3Q-13
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 20 А (Ta), 140 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,2 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- DMTH6005LPS-13
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20,6 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,2 Вт (Ta), 150 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- DMNH10H028SK3-13
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 55 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- IRFR110TRLPBF
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 25 Вт (Tc), монтаж SMT, упаковка: Cut Tape.
- ZXM64P02XTA
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: 8-MSOP, упаковка: Cut Tape.
- FDD3690
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 22 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 60 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.
- SI9407BDY-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDMS9409_F085
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 65 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 Вт (Tj), монтаж SMD, заводской корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- AON6284
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 24 А (Ta), 78 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 7,4 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- SIS890DN-T1-GE3
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- STD7N60M2
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STD11N60M2-EP
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 7,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 85 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS5360L_F085
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: Power56, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед