- FDS8690
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FQD18N20V2TM
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- TPN1600ANH,L1Q
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), 42 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-TSON Advance (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- TPN5900CNH,L1Q
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), 39 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: 8-TSON Advance (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- DMNH6012SPS-13
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN059-150Y,115
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 43 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 113 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y12-100E,115
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 85 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 238 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BSC105N10LSFGATMA1
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11,4 А (Ta), 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 156 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- DMT6010LSS-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRF40DM229
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 159 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 83 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: DirectFET™ Isometric MF, упаковка: Cut Tape.
- SI7121DN-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SUD45P03-09-GE3
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 45 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 41,7 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDMS8570S
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 24 А (Ta), 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- STL12N3LLH5
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerFlat™ (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDMS4435BZ
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9 А (Ta), 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 39 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- FQD30N06TM
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 22,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 44 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- STD47N10F7AG
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 45 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 60 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4C55NT1G
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11,9 А (Ta), 78 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 770 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- NTD6414ANT4G
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 32 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SI4160DY-T1-GE3
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 5,7 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRFR1N60ATRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 36 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SIR818DP-T1-GE3
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5,2 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDD13AN06A0_F085
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,9 А (Ta), 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 115 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- MTD3055VL
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,9 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- PH2925U,115
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 62,5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед