- FDMS0300S
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 31 А (Ta), 49 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- DMTH4007SPSQ-13
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15,7 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- DMTH6010LK3Q-13
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 14,8 А (Ta), 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 31 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- DMT10H010LK3-13
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 68,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- HUF75329D3ST
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 128 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- NTTFS5C453NLTAG
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 23 А (Ta), 107 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,3 Вт (Ta), 68 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDS6298
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BUK624R5-30C,118
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 158 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS0302S
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 29 А (Ta), 49 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- BUK6207-55C,118
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 158 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMC8651
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 41 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: Power33, упаковка: Cut Tape.
- RS1E320GNTB
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 32 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 34,6 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-HSOP, упаковка: Cut Tape.
- SI4812BDY-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DMTH4005SPSQ-13
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 20,9 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,6 Вт (Ta), 150 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- STD3LN80K5
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDD5680
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 60 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- DMTH4004SPSQ-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 31 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,6 Вт (Ta), 167 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- STS10P4LLF6
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,7 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DMTH6004SK3-13
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,9 Вт (Ta), 180 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- DMTH4004SPS-13
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 31 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,6 Вт (Ta), 167 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- SI4812BDY-T1-E3
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- CDM3-800 TR13
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 80 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- DMTH6009LK3Q-13
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14,2 А (Ta), 59 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,2 Вт (Ta), 60 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- CDM4-600LR TR13
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 38 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDS6673BZ
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 14,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед