- DMTH6010LPS-13
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13,5 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,6 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- FDD6690A
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), 46 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,3 Вт (Ta), 56 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.
- TPN2R203NC,L1Q
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 45 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), 42 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: 8-TSON Advance (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDMS8820
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 28 А (Ta), 116 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- DMNH4011SK3Q-13
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,6 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- SI5410DU-T1-GE3
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerPAK® ChipFet Single, упаковка: Cut Tape.
- SIR460DP-T1-GE3
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SIR788DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STD35P6LLF6
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 70 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SI5441BDC-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,3 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: 1206-8 ChipFET™, упаковка: Cut Tape.
- SIRA06DP-T1-GE3
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Ta), 62,5 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STL12P6F6
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 75 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- SI7308DN-T1-GE3
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,2 Вт (Ta), 19,8 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SIR422DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Ta), 34,7 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FK8V03040L
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 33 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: WMini8-F1, упаковка: Cut Tape.
- FDMS7570S
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 28 А (Ta), 49 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: Power56, упаковка: Cut Tape.
- STD7NK40ZT4
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 70 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BUK7623-75A,118
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 53 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 138 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SQJ444EP-T1_GE3
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 68 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SQJ411EP-T1_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 68 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SQJA80EP-T1_GE3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 68 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SQ4080EY-T1_GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 7,1 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STS10N3LH5
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BUK9616-75B,118
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 67 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 157 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS7578
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), 28 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 33 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед