- FDMS7692A
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13,5 А (Ta), 28 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 27 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDMC7582
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16,7 А (Ta), 49 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: Power33, упаковка: Cut Tape.
- FDMC8026S
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19 А (Ta), 21 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), 36 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- DMP3015LSSQ-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI4410BDY-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), SMD-монтаж, упаковка: Cut Tape.
- DMTH6010SK3-13
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 16,3 А (Ta), 70 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- VN2460N8-G
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: TO-243AA (SOT-89), упаковка: Cut Tape.
- CDM4-650 TR13
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 620 мВт (Ta), 77 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- DMTH6005LK3-13
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 100 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SQJ479EP-T1_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 32 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 68 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI4866BDY-T1-E3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 21,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,45 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SK8403160L
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Ta), 70 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 28 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: HSSO8-F1-B, упаковка: Cut Tape.
- STL8N6LF6AG
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 32 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,8 Вт (Ta), 55 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- FDC365P
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 35 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: 6-SSOT, упаковка: Cut Tape.
- NVD5863NLT4G-VF01
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14,9 А (Ta), 82 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- DMTH6009LK3-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14,2 А (Ta), 59 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,2 Вт (Ta), 60 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- FDMC6688P
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 14 А (Ta), 56 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33, упаковка: Cut Tape.
- AOD9T40P
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 83 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- ZXM64N02XTA
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 5,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,1 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: 8-MSOP, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86320
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,5 А (Ta), 22 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDS4480
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- PSMN027-100BS,118
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 37 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 103 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SI7106DN-T1-E3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 12,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- STL58N3LLH5
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 64 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,8 Вт (Ta), 62,5 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- NID9N05ACLT4G
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 52 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,74 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: DPAK-3, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед