- FDD86569_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tj), монтаж SMT, заводской корпус: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- DMT6005LPS-13
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17,9 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,6 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- FDD6N50TM
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 89 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STD64N4F6AG
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 54 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STD65N3LLH5
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 65 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 50 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK7227-100B,118
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 48 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 167 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- RQ3E075ATTB
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 15 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 8-HSMT (3.2x3), упаковка: Cut Tape.
- SQJA04EP-T1_GE3
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 68 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9217-75B,118
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 64 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 167 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK7214-75B,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 70 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 158 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y6R0-60EX
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 195 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- STL60N3LLH5
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 60 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y9R9-80EX
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 89 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 195 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FDS5690
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDMC7672
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16,9 А (Ta), 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 33 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- NVTFS5C454NLWFTAG
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 85 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 55 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDD20AN06A0_F085
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Ta), 45 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 90 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86569_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 65 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 Вт (Tj), монтаж SMT, заводской корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDMS0306AS
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 26 А (Ta), 49 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 59 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDD390N15ALZ
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 26 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 63 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- AOD3N80
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 83 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- AO4423L
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- SQD70140EL_GE3
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 71 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- HUFA76419D3ST
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 75 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R2-30YLDX
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 194 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед