- DMTH4005SPS-13
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 20,9 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,6 Вт (Ta), 150 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- FQD10N20LTM
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 51 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- STS9P2UH7
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,7 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STL30P3LLH6
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 75 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- SI4464DY-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 1,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDB3502
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 6 А (Ta), 14 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 41 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- NVTFS5C466NLWFTAG
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 51 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 38 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- DMP4015SK3Q-13
MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 14 А (Ta), 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- FDT86246
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP10A17GQTA
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 2,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- RQ3C150BCTB
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 20 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: 8-HSMT (3.2x3), упаковка: Cut Tape.
- DMT10H015LPS-13
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,3 А (Ta), 44 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,3 Вт (Ta), 46 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- AON6752
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 54 А (Ta), 85 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 7,4 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- CXDM1002N TR
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-89, упаковка: Cut Tape.
- RSH070N05GZETB
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 45 В, ток стока: Iс = 7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-SOP, упаковка: Cut Tape.
- FQT1N80TF_WS
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 200 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-223-3, упаковка: Cut Tape.
- FQD16N25CTM
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 16 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 160 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- DMTH3004LK3-13
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 21 А (Ta), 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- FDD9411_F085
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 48,4 Вт (Tj), SMD-монтаж, корпус: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- FDD8896_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), 94 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 80 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- DMT10H015LSS-13
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 8,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDMS0310AS
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19 А (Ta), 22 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 41 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- SK8603170L
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 20 А (Ta), 59 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 24 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: HSO8-F4-B, упаковка: Cut Tape.
- SI3469DV-T1-GE3
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,14 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- SIR410DP-T1-GE3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,2 Вт (Ta), 36 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед