- STL20N6F7
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PowerFlat™ (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- SI4102DY-T1-GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 3,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), 4,8 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DMT69M8LPS-13
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 10,2 А (Ta), 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 113 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- DMTH4007LK3Q-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16,8 А (Ta), 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,6 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- SIS454DN-T1-GE3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7119DN-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SQJ486EP-T1_GE3
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 56 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI3483CDV-T1-E3
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 4,2 Вт (Tc), монтаж на поверхность, упаковка: Cut Tape.
- FK8V03050L
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 33 В, ток стока: Iс = 8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: WMini8-F1, упаковка: Cut Tape.
- SQJ423EP-T1_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 55 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 68 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- RQ3E180AJTB
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 18 А (Ta), 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: 8-HSMT (3.2x3), упаковка: Cut Tape.
- STD5N20LT4
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 33 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STD5NK40ZT4
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока: Iс = 3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 45 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SK8403170L
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Ta), 59 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 24,6 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: HSSO8-F1-B, упаковка: Cut Tape.
- FDD850N10LD
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 42 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: TO-252-5, упаковка: Cut Tape.
- FCD3400N80Z
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 32 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDD8453LZ_F085
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 118 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- STD1HN60K3
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 1,2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 27 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- TPH4R003NL,L1Q
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), 36 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- SIRA10DP-T1-GE3
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMA7672
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- SI4386DY-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,47 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DMT6009LPS-13
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 10,6 А (Ta), 87 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- DMTH4005SK3-13
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 95 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 100 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- FQD17N08LTM
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед