- FQD2N60CTM_WS
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 1,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 44 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STD46N6F7
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS5361L_F085
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 75 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: Power56, упаковка: Cut Tape.
- FCD900N60Z
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 52 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDD6530A
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 21 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,3 Вт (Ta), 33 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- HUF75321D3ST
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 93 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- AOD4132
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 85 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 100 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SI7129DN-T1-GE3
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 52,1 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SK8603180L
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Ta), 39 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: HSO8-F4-B, упаковка: Cut Tape.
- TPN6R003NL,LQ
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 27 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), 32 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: 8-TSON Advance (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- AOD242
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14,5 А (Ta), 54 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 53,5 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- HUFA75321D3ST
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 93 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- NTD4804NT4G
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14,5 А (Ta), 124 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,43 Вт (Ta), 107 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- TP86R203NL,LQ
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 19 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: 8-SOP, упаковка: Cut Tape.
- TPN30008NH,LQ
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 9,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), 27 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-TSON Advance (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R7-30YL,115
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 109 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SIA430DJ-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 19,2 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- SI3499DV-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 8 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,1 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- FDMS9410L_F085
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 75 Вт (Tj), монтаж SMT, корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDD7N25LZTM
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 6,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 56 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDMC6675BZ
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,5 А (Ta), 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 36 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- SQJA06EP-T1_GE3
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 57 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 55 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI2325DS-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 530 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 750 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SQJA84EP-T1_GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 46 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 55 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI2337DS-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 2,2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 760 мВт (Ta), 2,5 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед