Полевые транзисторы | МОП-транзисторы | FET, MOSFET | Каталог

В нашем каталоге представлен широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов (MOSFET) ведущих мировых производителей дискретных полупроводников. У нас можно купить униполярные транзисторы с n-каналом или p-каналом, напряжение сток-исток (U_СИ) в диапазоне от 6 В до 4,5 кВ, ток стока (I_С) от 5 мА до 860 А, сопротивление в открытом состоянии (R_{СИ откр.}) от 0,4 мОм до 1 кОм, рассеиваимая мощность (P_макс.) от 80 мВт до 5 кВт.

STW48NM60N

MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 44 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 330 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-247, упаковка: Tube.

IPW65R019C7FKSA1

Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока (непрерывный): I_с = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 446 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: PG-TO247-3, упаковка: Tube.

IRFZ24NPBF

МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 45 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRLU120NPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 10 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 48 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: IPAK (TO-251), упаковка: Tube.

IRFU5505PBF

MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 57 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: IPAK (TO-251), упаковка: Tube.

IRL2703PBF

Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 24 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 45 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF640NPBF

МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока (непрерывный): I_с = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 150 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF630NPBF

MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока: I_с = 9,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 82 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRLB8748PBF

Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 78 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 75 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRFU9024NPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 38 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: IPAK (TO-251), упаковка: Tube.

IRF530NPBF

МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 70 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRLZ34NPBF

MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 68 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF520NPBF

МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 9,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 48 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRL530NPBF

Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 79 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRFU5305PBF

МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 31 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 110 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: IPAK (TO-251), упаковка: Tube.

IRLZ44NPBF

MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 47 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 3,8 Вт (Ta), 110 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRFZ48NPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 64 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 130 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRL3103PBF

МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 64 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 94 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF5305PBF

Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 31 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 110 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF1018EPBF

MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока (непрерывный): I_с = 79 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 110 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRFZ48VPBF

MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока (непрерывный): I_с = 72 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 150 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF9Z24NPBF

Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 45 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF6215PBF

MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 150 В, ток стока (непрерывный): I_с = 13 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 110 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRF3205ZPBF

Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 170 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRLIZ44NPBF

Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 45 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-220AB Full-Pak, упаковка: Tube.

Назад Вперед

Drain to Source Voltage -- напряжение сток-исток

Drive Voltage -- управляющее напряжение

Power Dissipation -- рассеиваемая мощность

Gate−to−Source Voltage − Continuous -- напряжение затвор-исток (непрерывное)

Drain Current -- ток стока

Полевые транзисторы (FET, MOSFET)