- FDMA905P
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- AOD9N50
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 178 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SIR474DP-T1-GE3
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,9 Вт (Ta), 29,8 Вт (Tc), SMD-монтаж, упаковка: Cut Tape.
- FDD86380_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 75 Вт (Tj), SMT-монтаж, корпус: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.
- FDD86580_F085
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 75 Вт (Tj), SMT-монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STD19N3LLH6AG
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 30 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDZ3N513ZT
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: 4-WLCSP (1x1), упаковка: Cut Tape.
- NTMS4807NR2G
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 860 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- FDMC86244
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 2,8 А (Ta), 9,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 26 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- DMN2005UPS-13
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- IRFR210TRPBF
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- NVF6P02T3G
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 8,3 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-223 (TO-261), упаковка: Cut Tape.
- CWDM3011P TR13
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- FQD12N20LTM
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 55 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- DMT6009LK3-13
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 13,3 А (Ta), 57 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- SI4894BDY-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDFS6N754
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DMT6009LSS-13
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 10,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDD8770
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 115 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y7R2-60E,115
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 167 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SQJ418EP-T1_GE3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 48 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 68 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- DMT8012LPS-13
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), 65 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 113 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- DMTH8012LPS-13
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Ta), 72 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,6 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- FDD120AN15A0_F085
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 65 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- DMT6010LPS-13
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 13,5 А (Ta), 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,2 Вт (Ta), 113 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед