- SQJ474EP-T1_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 26 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SQJA00EP-T1_GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 48 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SQJ416EP-T1_GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 27 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 45 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FQD5N20LTM
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 37 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDMC7672S
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 14,8 А (Ta), 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 36 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDS9400A
MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDMA910PZ
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 9,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- AOB416
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,2 А (Ta), 45 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 150 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: TO-263 (D²Pak), упаковка: Cut Tape.
- SI3437DV-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 1,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 3,2 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- FDD6296
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- TPN22006NH,LQ
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), 18 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: 8-TSON Advance (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- RRQ045P03TR
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 600 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: TSMT6 (SC-95), упаковка: Cut Tape.
- FDMC8327L
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), 14 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- SI4436DY-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- NTD18N06LT4G
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 55 Вт (Tj), поверхностный монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SIA426DJ-T1-GE3
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- ZVN4210GTA
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 800 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SQS462EN-T1_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 33 Вт (Tc), монтаж SMD, упаковка: Cut Tape.
- DMP3018SFK-7
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: U-DFN2523-6, упаковка: Cut Tape.
- SI9435BDY-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,3 Вт (Ta), монтаж SMT, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R5-30YLC,115
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 179 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SQD15N06-42L_GE3
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 37 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SFT1445-TL-H
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), 35 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: TP-FA, упаковка: Cut Tape.
- FDS6692A
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,47 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DMP4010SK3Q-13
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Ta), 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,7 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: TO-252, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед