- SI4162DY-T1-GE3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 19,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDC3512
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- IRFR9010TRPBF
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 25 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SUD08P06-155L-GE3
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,7 Вт (Ta), 20,8 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- FDD8782
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- FDFM2N111
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,7 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: MicroFET 3x3mm, упаковка: Cut Tape.
- STD86N3LH5
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 70 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDS86252
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STD5N60DM2
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- ZVP4424ZTA
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 240 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SOT-89-3, упаковка: Cut Tape.
- STD28P3LLH6AG
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 33 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SIA408DJ-T1-GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,4 Вт (Ta), 17,9 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- FDD8882
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12,6 А (Ta), 55 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 55 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- SI4835DDY-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 5,6 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI3430DV-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 1,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,14 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- FDMS0310S
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19 А (Ta), 42 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 46 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- CXDM4060N TR
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,2 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-89, упаковка: Cut Tape.
- DMT6015LPS-13
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 10,6 А (Ta), 31 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,16 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- SI4101DY-T1-GE3
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI7686DP-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Ta), 37,9 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDN86265P
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 800 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- IRFR024TRPBF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRFR320TRPBF
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока: Iс = 3,1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BSP122,115
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 550 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- FDMC7692S
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12,5 А (Ta), 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 27 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед