- ZVN0545GTA
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 450 В, ток стока (непрерывный): Iс = 140 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- STS5P3LLH6
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,7 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDD770N15A
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 56,8 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- DMP3015LSS-13
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-SOP, упаковка: Cut Tape.
- FDD5N50NZFTM
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 62,5 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- DMT8012LSS-13
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STN3N45K3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 450 В, ток стока: Iс = 600 мА (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- FDD86381_F085
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 25 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 48,4 Вт (Tj), SMD-монтаж, корпус: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.
- ZVN2110GTA
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 500 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SISA12ADN-T1-GE3
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 25 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 28 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- FDD9410_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 75 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- BUK7675-55A,118
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 62 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDD4243_F085
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 6,7 А (Ta), 14 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.
- BSP230,135
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 300 В, ток стока: Iс = 210 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SQJA96EP-T1_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 48 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SQJA86EP-T1_GE3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 48 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SQJ860EP-T1_GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 48 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDD1600N10ALZD
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 14,9 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: TO-252-5, упаковка: Cut Tape.
- FDS8876
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FQD5P10TM
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 3,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- RF4E070BNTR
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: HUML2020L8, упаковка: Cut Tape.
- FDMS5362L_F085
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 41,7 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: Power56, упаковка: Cut Tape.
- PSMN5R2-60YLX
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 195 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- NTD6415ANLT4G
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 23 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 83 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMC8588
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16,5 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), 26 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: Power33, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед