- NTD4904NT4G
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Ta), 79 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- TP5335K1-G
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 350 В, ток стока (непрерывный): Iс = 85 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- SI3459BDV-T1-E3
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 2,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,3 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMP1011UCB9-7
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 8 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 890 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус: U-WLB1515-9, упаковка: Cut Tape.
- NTMS4920NR2G
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 820 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- SI4447DY-T1-GE3
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 3,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,1 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- ZXM62N03GTA
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,4 А (Ta), 4,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- NVTFS5826NLTAG
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,2 Вт (Ta), 22 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- DMP2010UFG-7
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12,7 А (Ta), 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 900 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- HUFA76409D3ST
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 49 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- FDT3N40TF
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока: Iс = 2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- CMUDM8005 TR
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 650 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
- SI3460BDV-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 3,5 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- STD2LN60K3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 45 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- RS1E240GNTB
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 24 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 27,4 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-HSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMTH4007LK3-13
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 16,8 А (Ta), 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- RS1G150MNTB
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: 8-HSOP, упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y07-30B,115
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 105 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FDD8796
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 88 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- FDMA8051L
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- SI4172DY-T1-GE3
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 4,5 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDMC86116LZ
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 3,3 А (Ta), 7,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDMA86108LZ
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 2,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- FDMS8880
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13,5 А (Ta), 21 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86380_F085
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 75 Вт (Tj), монтаж SMD, тип корпуса: Power56, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед