- FQT2P25TF
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 550 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- FDZ371PZ
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,7 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: 4-WLCSP (1x1), упаковка: Cut Tape.
- SK8603190L
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), 19 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,7 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: HSO8-F4-B, упаковка: Cut Tape.
- ECH8310-TL-H
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: 8-ECH, упаковка: Cut Tape.
- DMN30H4D0LFDE-7
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 300 В, ток стока: Iс = 550 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 630 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: U-DFN2020-6 (Type E), упаковка: Cut Tape.
- ZXMN2B14FHTA
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- SI4134DY-T1-GE3
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 14 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STN1NF10
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- CMPDM302PH TR
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- AOD508
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 22 А (Ta), 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDS6612A
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- CZDM1003N TR
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- CMPDM203NH TR
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- AON6358
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 42 А (Ta), 85 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,2 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- CMPDM202PH TR
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- SIS406DN-T1-GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- FDME410NZT
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: MicroFet 1.6x1.6 Thin, упаковка: Cut Tape.
- STQ2HNK60ZR-AP
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 500 мА (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-92-3, упаковка: Cut Tape.
- FDME905PT
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: MicroFet 1.6x1.6 Thin, упаковка: Cut Tape.
- FDS8896
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- RZQ050P01TR
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 600 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: TSMT6 (SC-95), упаковка: Cut Tape.
- NTMS7N03R2G
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 800 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4841NHT1G
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,6 А (Ta), 59 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 870 мВт (Ta), 41,7 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- FDD10N20LZTM
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 83 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FQD4N25TM_WS
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 37 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед