- ZXMN10B08E6TA
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 1,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,1 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-26, упаковка: Cut Tape.
- SIR172DP-T1-GE3
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 29,8 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- CMLDM7120G TR
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-563, упаковка: Cut Tape.
- RS1E200GNTB
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 20 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 25,1 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-HSOP, упаковка: Cut Tape.
- SI4048DY-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 19,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 5,7 Вт (Tc), SMT-монтаж, упаковка: Cut Tape.
- NTMS4177PR2G
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 6,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 840 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- FQD4N20TM
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y10-30B,115
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 67 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 85 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- IRFR220TRLPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 4,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDMA507PZ
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 7,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- FQD6N25TM
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 4,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 45 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- DMN7022LFG-7
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 900 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y11-30B,115
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 59 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 75 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SI3457DV
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- SK8403190L
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), 19 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: HSSO8-F1-B, упаковка: Cut Tape.
- DMN3009SFG-7
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Ta), 45 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 900 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- CMUDM8004 TR
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 450 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 250 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
- NVF5P03T3G
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,56 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- FDME910PZT
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: MicroFet 1.6x1.6 Thin, упаковка: Cut Tape.
- FDMS8020
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 26 А (Ta), 42 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 65 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- SI4134DY-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), SMD-монтаж, упаковка: Cut Tape.
- SIR472DP-T1-GE3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,9 Вт (Ta), 29,8 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- DMTH6009LPS-13
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 11,76 А (Ta), 89,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- SIS415DNT-T1-GE3
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- DMT69M8LSS-13
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед