- AOD3N60
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 56,8 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDT86244
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 2,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- FDZ661PZ
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,3 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: 4-WLCSP (0.80x0.80), упаковка: Cut Tape.
- RQ6E085BNTCR
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: SOT-457, упаковка: Cut Tape.
- SI4447DY-T1-E3
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,1 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DMT6015LSS-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FQD4P25TM_WS
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 3,1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 45 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- AON6362
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 27 А (Ta), 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,2 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- SIA416DJ-T1-GE3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 11,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- AOD3T40P
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока: Iс = 2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 35 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- RTQ035N03TR
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: TSMT6 (SC-95), упаковка: Cut Tape.
- ZXMN2B03E6TA
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: SOT-23-6, упаковка: Cut Tape.
- AON6413
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 22 А (Ta), 32 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,2 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- FDD4243
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 6,7 А (Ta), 14 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 42 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.
- RVQ040N05TR
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 45 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 600 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: TSMT6 (SC-95), упаковка: Cut Tape.
- FDMS7680
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), 28 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 33 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: Power56, упаковка: Cut Tape.
- TPC6111(TE85L,F,M)
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 5,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус: VS-6 (2.9x2.8), упаковка: Cut Tape.
- FDMS0308AS
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 24 А (Ta), 49 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDS8882
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRF6721STRPBF
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,2 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: DIRECTFET™ SQ, упаковка: Cut Tape.
- RQ3L050GNTB
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 14,8 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: 8-HSMT (3.2x3), упаковка: Cut Tape.
- DMP3036SSS-13
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y38-100EX
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 95 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FK6K02010L
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: WSMini6-F1-B, упаковка: Cut Tape.
- NVF3055L108T1G
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,3 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед