- RS1E170GNTB
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 23,7 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-HSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMP6250SE-13
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,8 Вт (Ta), 14 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- FDMA8884
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 6,5 А (Ta), 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- SI2315BDS-T1-GE3
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 750 мВт (Ta), SMD-монтаж, упаковка: Cut Tape.
- RS1E280BNTB
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 28 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 8-HSOP, упаковка: Cut Tape.
- BUK9M9R1-40EX
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 64 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 75 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- SI1499DH-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 8 В, ток стока: Iс = 1,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 2,78 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: SC-70-6 (SOT-363), упаковка: Cut Tape.
- FQT13N06TF
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- QS5U27TR
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: TSMT5, упаковка: Cut Tape.
- AO4354
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 23 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- PSMN3R0-30YLDX
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 91 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FDMA510PZ
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 7,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- BUK9M34-100EX
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 29 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 79 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- BUK9M23-80EX
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 37 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 79 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- DMP3017SFK-7
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: U-DFN2523-6, упаковка: Cut Tape.
- CMLDM8120 TR
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 860 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SOT-563, упаковка: Cut Tape.
- AON6796
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 32 А (Ta), 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,2 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- XR46000ESETR
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 20 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SI4800BDY-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,3 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- RSR025N03TL
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- BUK7M9R9-60EX
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 79 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- FQT4N20LTF
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 850 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,2 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- FQD7N10LTM
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 5,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- AON7524
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 25 А (Ta), 28 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 32 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: 8-DFN (3x3), упаковка: Cut Tape.
- RQ5C060BCTCL
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед