- AOD413A
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDC637AN
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- IRFH5210TRPBF
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), 55 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,6 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- SQ3425EV-T1_GE3
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- PMCM6501VPEZ
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 556 мВт (Ta), 12,5 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 6-WLCSP (1.48x.98), упаковка: Cut Tape.
- SSM6J207FE,LF
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: ES6 (1.6x1.6), упаковка: Cut Tape.
- ZXMN2A01E6TA
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: SOT-23-6, упаковка: Cut Tape.
- SQJ148EP-T1_GE3
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- RQ5E070BNTCL
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- CMPDM7002AHC TR
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- SQJ158EP-T1_GE3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 23 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 45 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- NVD3055L170T4G-VF01
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- RUF025N02TL
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 320 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: TUMT3, упаковка: Cut Tape.
- SI4620DY-T1-GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 6 А (Ta), 7,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 3,1 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI4778DY-T1-GE3
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- PMPB15XP,115
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,7 Вт (Ta), 12,5 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: 6-DFN2020MD (2x2), упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y22-30B,115
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 37,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 59,4 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y20-30B,115
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 39,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 59 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FDD86367_F085
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 227 Вт (Tj), монтаж на поверхность, корпус: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- FQT4N25TF
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 830 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- FDFME3N311ZT
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: 6-MicroFET (1.6x1.6), упаковка: Cut Tape.
- FDME510PZT
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: MicroFet 1.6x1.6 Thin, упаковка: Cut Tape.
- RFD3055LESM9A
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 38 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- SIA468DJ-T1-GE3
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 37,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 19 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- FQD13N10TM
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед