Полевые транзисторы | МОП-транзисторы | FET, MOSFET | Каталог

В нашем каталоге представлен широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов (MOSFET) ведущих мировых производителей дискретных полупроводников. У нас можно купить униполярные транзисторы с n-каналом или p-каналом, напряжение сток-исток (U_СИ) в диапазоне от 6 В до 4,5 кВ, ток стока (I_С) от 5 мА до 860 А, сопротивление в открытом состоянии (R_{СИ откр.}) от 0,4 мОм до 1 кОм, рассеиваимая мощность (P_макс.) от 80 мВт до 5 кВт.

IRFB4227PBF

МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока (непрерывный): I_с = 65 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 330 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRL1404PBF

МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 40 В, ток стока (непрерывный): I_с = 160 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 200 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRFB4115PBF

МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 150 В, ток стока: I_с = 104 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 380 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

STF10NM60N

Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 10 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 25 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-220FP, упаковка: Tube.

IRLB3034PBF

МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 40 В, ток стока: I_с = 195 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 375 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

IPA60R190C6XKSA1

Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока: I_с = 20,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 34 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: PG-TO-220-FP, упаковка: Tube.

IRFB3077PBF

МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 75 В, ток стока (непрерывный): I_с = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 370 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRFB7730PBF

MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 75 В, ток стока (непрерывный): I_с = 195 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 375 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP10NK80Z

МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока: I_с = 9 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 190 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP10NK80ZFP

Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока: I_с = 9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 40 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-220FP, упаковка: Tube.

STW14NK50Z

MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 500 В, ток стока: I_с = 14 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 150 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-247-3, упаковка: Tube.

STW10NK80Z

МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока (непрерывный): I_с = 9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 160 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-247-3, упаковка: Tube.

IRLB3036PBF

Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока: I_с = 195 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 380 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRFB4332PBF

МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 250 В, ток стока: I_с = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 390 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Tube.

STP15NK50ZFP

МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 500 В, ток стока (непрерывный): I_с = 14 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 40 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220FP, упаковка: Tube.

IRFS7530-7PPBF

МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока: I_с = 240 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 375 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D2PAK (7-Lead), упаковка: Tube.

SPA17N80C3XKSA1

МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока: I_с = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 42 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: PG-TO220-3, упаковка: Tube.

SPW20N60C3FKSA1

МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока: I_с = 20,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 208 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: PG-TO247-3, упаковка: Tube.

IPP60R099C6XKSA1

Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 37,9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 278 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: PG-TO-220-3, упаковка: Tube.

STP11NM80

Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока (непрерывный): I_с = 11 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 150 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Tube.

IRFP4568PBF

Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 150 В, ток стока (непрерывный): I_с = 171 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 517 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-247AC, упаковка: Tube.

STF21NM60ND

Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока: I_с = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 30 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-220FP, упаковка: Tube.

IRFP4468PBF

МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 195 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 520 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-247AC, упаковка: Tube.

IPW60R070C6FKSA1

Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 53 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 391 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: PG-TO247-3, упаковка: Tube.

STW42N65M5

Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока: I_с = 33 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 190 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-247-3, упаковка: Tube.

Назад Вперед

Drain to Source Voltage -- напряжение сток-исток

Drive Voltage -- управляющее напряжение

Power Dissipation -- рассеиваемая мощность

Gate−to−Source Voltage − Continuous -- напряжение затвор-исток (непрерывное)

Drain Current -- ток стока

Полевые транзисторы (FET, MOSFET)