- DN2530N8-G
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 300 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: TO-243AA (SOT-89), упаковка: Cut Tape.
- BUK7M27-80EX
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 62 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- ES6U3T2CR
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: 6-WEMT, упаковка: Cut Tape.
- SIA445EDJ-T1-GE3
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- SIA467EDJ-T1-GE3
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 31 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- DMN1016UCB6-7
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 920 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: U-WLB1510-6, упаковка: Cut Tape.
- SI8406DB-T2-E1
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,77 Вт (Ta), 13 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: 6-Micro Foot™, упаковка: Cut Tape.
- CWDM3011N TR13
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- DMN3024LSS-13
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SQ3426EV-T1_GE3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- SI3457CDV-T1-E3
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5,1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMP6185SK3-13
MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- SI3447CDV-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 3 Вт (Tc), SMT-монтаж, упаковка: Cut Tape.
- SI5424DC-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 6,25 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: 1206-8 ChipFET™, упаковка: Cut Tape.
- BUK9M19-60EX
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 38 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 62 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- BUK9M11-40EX
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 53 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 62 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- FDZ391P
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: 6-WLCSP (1.0x1.5), упаковка: Cut Tape.
- CMUDM7001 TR
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
- FDT1600N10ALZ
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 5,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 10,42 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- DN3535N8-G
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 350 В, ток стока (непрерывный): Iс = 230 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: TO-243AA (SOT-89), упаковка: Cut Tape.
- DMN3027LFG-7
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- FDT86246L
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- DN2450N8-G
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 230 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: TO-243AA (SOT-89), упаковка: Cut Tape.
- FDG315N
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 750 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SC-70-6, упаковка: Cut Tape.
- DMN10H099SFG-7
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 4,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 980 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед