- SK830321KL
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 7 А (Ta), 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 13 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: HSSO8-F3-B, упаковка: Cut Tape.
- FDG313N
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 950 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 750 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SC-70-6, упаковка: Cut Tape.
- FDMS7678
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17,5 А (Ta), 26 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 41 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDMA291P
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- QS5U12TR
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: TSMT5, упаковка: Cut Tape.
- SIA444DJT-T1-GE3
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), монтаж на поверхность, упаковка: Cut Tape.
- DMT3006LPS-13
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Ta), 65 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,3 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- RS1E240BNTB
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 24 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-HSOP, упаковка: Cut Tape.
- FQD5N15TM
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 4,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDMS7672
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 19 А (Ta), 28 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- AO4419
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- DMS3012SFG-13
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 890 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- DMN1054UCB4-7
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 8 В, ток стока: Iс = 2,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 740 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: X1-WLB0808-4, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP4A57E6TA
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-26, упаковка: Cut Tape.
- AO4407A
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- DMN6040SVTQ-7
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,2 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: TSOT-26, упаковка: Cut Tape.
- DMN2027UPS-13
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Ta), 36 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,1 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- DMT6017LSS-13
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- NTMS4816NR2G
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 6,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 780 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- SVD5867NLT4G
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 22 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,3 Вт (Ta), 43 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- NDT014
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 2,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- SI4823DY-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,7 Вт (Ta), 2,8 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- RQ3E180GNTB
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 18 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: 8-HSMT (3.2x3), упаковка: Cut Tape.
- HUFA75307T3ST
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,1 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- NTTFS4928NTAG
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,3 А (Ta), 37 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 810 мВт (Ta), 20,8 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед