- RQ6C050BCTCR
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: TSMT6 (SC-95), упаковка: Cut Tape.
- AOD2N60A
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 57 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- DMN2028USS-13
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 7,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,56 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- RQ3E180BNTB
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 39 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 20 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 8-HSMT (3.2x3), упаковка: Cut Tape.
- DMN10H120SE-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 3,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,3 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4937NT1G
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10,2 А (Ta), 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 920 мВт (Ta), 43 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- NDT014L
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 2,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- SI2306BDS-T1-GE3
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,16 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 750 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- BUK9M24-60EX
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 32 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 55 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- AON6370
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 23 А (Ta), 47 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,2 Вт (Ta), 26 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- DMN1032UCB4-7
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 900 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: U-WLB1010-4, упаковка: Cut Tape.
- SQA410EJ-T1_GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 7,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 13,6 Вт (Tc), монтаж на поверхность, упаковка: Cut Tape.
- FDMS7670
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21 А (Ta), 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 62 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- RQ1C075UNTR
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 7,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: TSMT8, упаковка: Cut Tape.
- RS1E150GNTB
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 22,9 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-HSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMN10H099SK3-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 34 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- NTMS4801NR2G
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 800 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- BUK9M15-60EX
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 47 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 75 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- BUK7M12-60EX
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 53 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 75 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN3B14FTA
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- TN2124K1-G
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 240 В, ток стока (непрерывный): Iс = 134 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- BUK9M10-30EX
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 54 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 55 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- AON2409
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: 6-DFN-EP (2x2), упаковка: Cut Tape.
- IPD90N04S402ATMA1
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TO252-3-313, упаковка: Cut Tape.
- RRL025P03TR
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 320 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: TUMT6, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед