- AON6414A
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13 А (Ta), 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- RW1A020ZPT2R
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: 6-WEMT, упаковка: Cut Tape.
- SI8497DB-T2-E1
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,77 Вт (Ta), 13 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: 6-microfoot, упаковка: Cut Tape.
- NTLUS3A18PZTAG
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 5,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: 6-UDFN (2x2), упаковка: Cut Tape.
- NTLJS4114NT1G
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: 6-WDFN (2x2), упаковка: Cut Tape.
- DMN4030LK3-13
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 9,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,14 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN10H220LE-13
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,8 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SI4447ADY-T1-GE3
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 7,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,2 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP6A17E6QTA
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 2,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,1 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-26, упаковка: Cut Tape.
- DMN4026SK3-13
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 28 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- DMTH6016LPS-13
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 10,6 А (Ta), 37,1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 37,5 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- SI2316BDS-T1-E3
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Ta), 1,66 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y25-60EX
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 34 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 64 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y43-60E,115
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 22 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 45 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y113-100E,115
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SIS478DN-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 15,6 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y72-80E,115
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 15 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- TP2104K1-G
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 160 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- FDMA430NZ
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- PMZ1000UN,315
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 480 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP3028LK3-13
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 27 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- FDMC4435BZ_F126
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,5 А (Ta), 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- CEDM7004 TR
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,78 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SOT-883, упаковка: Cut Tape.
- RF4E110BNTR
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: HUML2020L8, упаковка: Cut Tape.
- DMP6110SVT-7
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 7,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,2 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: TSOT-26, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед